有些材料的导电性能结余导体和绝缘体之间，而且电阻不随问题的增加而增加，反而随温度的增加而减小，这种材料称为半导体。导电率为.m;常用的半导体材料包括：元素半导体，入硅（Si）、锗（Ge）;化合物半导体，如砷化镓（GaAs）；掺杂或制成其他化合物半导体材料，如硼（B）、磷（P）、铟（In）、锑（Sb）.

　　N型半导体：在本征半导体如（硅，锗）中掺入微量五价元素，入砷，锑，磷等，可形成N型半导体。这种半导体主要靠电子导电。

　　P型半导体：再本征半导体（硅，锗）中掺杂微量三价元素，如铟，硼或铝，形成P型半导体。靠空穴导电

　　PN结：把P型半导体和N型半导体结合，在P区和N区交界面的薄层区，一边带正电一边 是负电，这个薄层区称作PN结。薄层区两边形成电位差。硅材料制成的PN结电位差为0.5~0.7V，锗材料制成的PN结电位差为0.2~0.3V。

　　PN结截止状态：PN结加反向电压时，回路中反向电流非常小，几乎等于零；

　　PN结导通状态：PN结加正向电压，回路中将产生一个较大电流。一般而言PN结压降，硅材料为0.5~0.7V；

　　P型和N型两块半导体之间构成一个电容量很小的电容，叫做极间电容，由于电容的容抗随着频率的增高二减小，所以PN结工作于高频时，高频信号容易被极间电容反馈二影响PN结工作。二低频或直流下工作，极间电容对此阻抗很大，股部影响PN结的工作性能。

　　三只二极管中正极点位最高的先导通，VD1先导通，然后A点点位钳位在4.7（5V-0.3V）上。而VD2,VD3则不再导通。

　　R限流保护电阻，四只串联二极管的压降基本不变，则A点电压保持基本不变（4*0.7）

　　二极管如果工作在反向击穿区，当反向电流的变化量\DeltaI较大时，二极管两端相应的电压变化量\DeltaU 却很小，亿博电竞说明其具有稳压特性

　　击穿并不意味着二极管损坏，只要在外电路上CIA去适当的限流措施，可以保证二极管处理击穿区而不至于损坏。

　　U_{0}=U_{i}-I_{R}=U_{Z}.当输入电压U增大时，输出电压U_{O}将上升，使稳压管ZD的反向电压略有增加，随之流过稳压管ZD的电流增加，于是I_{R}=I_{Z}+I_{L}，限流电阻R上的压降将增大，是的U_{i}增量的大部分压降再R上。

　　三极管放大作用：发射结加正向电压，集电结加反向电压，并且反向电压要高于正向电压两倍以上。

　　基极电流I_{B}为常数，输出电路（集电极电路）中的集电极电流I_{C}与集-射极电压U_{CE}之间的关系曲线。

　　截止区：I_{B}=0的区域成为截止区。当发射结反向偏置时，发射区不再向基区注入电子，三极管截止，在截止区，三极管的发射结和集电结都处于反向偏置状态

　　放大区：I_{B}一定时，Ic不随着Uce的而变化。在放大区，三极管发射结正向偏置，集电结反向偏置。

　　饱和区：当Uce较小时，三极管的集电极Ic基本不随着基极的电留Ib而变化。一般认为，U_{CE}=U_{BE},即U_{CB}=0时，三极管达到临界饱和状态。

　　多级放大电路一般由前置级和功放级两部分组成。前置级由若干个放大电路组成，主要用作电压放大，以将微弱的输入电压放大到足够的幅度，然后推动功放级工作。功放级主要用以输出负载所需要的的功率。

　　再多级放大电路中，每两个单级放大电路之间的连接方式叫做耦合，实现耦合的电路称为级间耦合电路，其任务是将前级信号传送到后级。

　　场效应管（Field Effect Transistor ,FET）可利用电场效应来控制电流，参与导电的只有一种极性载流子，场效应管也成单极性三极管。

　　源极S：对应三极管的E极；栅极G（对应三极管B极），漏极D（对应C极）。

　　原理：场效应管事电压控制元器件，他的输出电流取决于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以他的输入阻抗很高。

　　特点：场效应管具有开关速度快、高频性好、热稳定性好、功率增益大、噪音小等优点。

　　很薄的N型区作为电流的通路，称为导电沟道。栅极G是来控制流过沟道的电流大小的。

　　当反向电压U_{GS}变大时，耗尽层将边宽，导电沟道的宽度相应的减少，是沟道本身的电阻值增大。于是漏极电流Id将减小。

　　结型场效应管的输入电阻是PN结的反向电阻，可达10^{7}\Omega以上，为了进一步提高其输入电阻，研制了一种G极与D,S极完全绝缘的场效应管，称其为绝缘栅场效应管。他是由金属（M）作电极，氧化物（O）作绝缘层和半导体（S）组成的金属-氧化物-半导体场效应管。所以被称为MOS管。

　　一块掺杂弄滴较低的P型硅片做衬底，其表面覆盖一层二氧化硅的绝缘体，再在二氧化硅层刻出两个窗口，通过扩散形成两个高掺杂的N区（N+），分别引出源极S和漏极D。

　　原理：N沟道耗尽型MOS管在制作过程中预先在二氧化硅的绝缘层中掺杂大量正离子，因此即使栅极不加呀（Ugs=0）,由于静电感应，这些正离子产生的电场也能在P型衬底中感应出足够多的负电荷，形成反型层，从而产生N型的导电沟道。给栅极加正电压（Ugs0）,沟道变宽，Id增大。

　　集成电路按功能分：模拟集成电路---用来产生、放大和处理各种模拟电信号；数字集成电路---用来生产、放大、处理各种数字电信号。

　　滤波器：滤波器是一种选频电路，他能使指定频率范围内的信号顺利通过，且衰减很小，而对其他频率的信号加以抑制，使其衰减。

　　按照三极管静态工作点的不同设置，功率放大电路主要分为：甲类（A）、乙类（B），甲乙类（A B）、丙类（C）功率放大器。常见的低频功放电路有OTL、OCL、BTL。

　　震荡电流：把开关扳倒电池组，给电容充电，稍后再扳倒线圈另一边，让电容器放点。会看到电流表的指针左右摆动，表明电路中产生了大小和方向做周期性变化的交变电流，把这样的交变电流叫做震荡电流

　　在自由震荡中，如果没有能量损失，震荡应该持续下去，震荡电流的振幅应该保持不变，这种震荡就做无阻尼震荡，也叫等幅震荡。

　　无线电波：电磁波是看不见的电场和磁场相互转换的一种运动形式，他不需要导线进行传播，所以称为无线电波

　　电磁波：如果在空间某处存在不均匀变化的电场，就会在临近的空间引起变化的磁场，这个变化的磁场又会在较远的空间引起新的变化的电场，接着又在更远的空间引起新的变化的池昌。这样由近及远的传播就形成了电磁波。

　　地波：沿着地球表面空间传播的无线电波。因为波的衍射特性，当波长大于或相当于障碍物尺寸时，波可以绕道障碍物后面。地面障碍物一般不大，长波能很好的绕过他们，中波也可以，短波和微博不行。

　　天波：依靠电离层的反射来传播的无线电波叫做天波。再地球表面大气层中，再50km到几百千米的范围内，一部分中性气体分子由于受到太阳光的照射而发生电离，分解为带正电的离子和自由电子，这层叫电离层。电离层对于长度小于10m的微波，能够穿透，飞翔宇宙；对于长度唱过3000m的长波，电离层基本吸收。对于中波和短波，波长越短，电离层对他吸收的越少反而反射的越多。电离层不稳定，夜晚电离度比白天低，因此电离层对中波的吸收减弱。

　　直线传播：微波也叫超短波，传播方式类似光纤=线，直线传播。能量损耗小，接收信号较强，电视雷达一般都是微波。远距离传播需要中继站。