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数电模电基础知识之搞懂数电技术

作者:小编    发布时间:2023-12-19 15:08:15    浏览量:

  数字集成电路按其内部有源器件的不同可以分为两大类:一类为双极型晶体管集成电路(TTL电路);另一类为单极型集成电路(MOS管组成的电路)。

  CT74S肖特基系列TTL与非门的电路组成如图2-19(a)所示,它由输入级、中间级、输出级3个部分组成。

  输入级:由多发射极管VT1和电阻R1组成,多发射极管的3个发射结为3个PN结。其作用是对输入变量A、B、C实现逻辑与,所以它相当于一个与门。

  中间级:由VT2、R2和VT6、RB、RC组成,VT2集电极和发射极同时输出两个逻辑电平相反的信号,用以驱动VT3和VT5。

  输出级:由VT3、VT4、VT5和R4、R5组成,它采用了达林顿结构,VT3和VT4组成复合管降低了输出高电平时的输出电阻,提高了带负载能力。

  对图2-19所示电路,如果高电平用1表示,低电平用0表示,则可列出图2-19所示的线所示。

  集电极开路与非门也叫 OC 门,能使门电路输出的电压高于电路的高电平电压值,且门电路的输出端可以并联以实现逻辑与功能,即线与(一般的TTL门电路不能线与)。

  OC门的电路如图2-20(a)所示,逻辑符号如图2-20(b)所示,逻辑表达式为:

  与或非门电路如图2-23(a)所示,逻辑符号如图2-23(b)所示,逻辑表达式为:

  三态输出门是指不仅可输出高电平、低电平两个状态,而且还可输出高阻状态的门电路,如图2-24所示,

  和 TTL 数字集成电路相比,CMOS 电路的突出特点是微功耗、亿博电竞官网高抗干扰能力。

  如图2-26所示,两个串联的增强型NMOS管VTN1和VTN2为驱动管,两个并联的增强型PMOS管VTP1和VTP2为负载管,组成CMOS与非门,逻辑表达式为:

  如图2-27所示,两个并联的增强型NMOS管VTN1和VTN2为驱动管,两个串联的增强型PMOS管VTP1和VTP2为负载管,组成CMOS或非门,逻辑表达式为:

  将两个参数对称一致的增强型NMOS管VTN和PMOS管VTP并联可构成CMOS传输门,电路和逻辑符号如图2-28所示。

  图 2-29(a)所示为低电平控制的三态门输出,图 2-29(b)为逻辑符号。

数电模电基础知识之搞懂数电技术(图1)

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